Keywords: پروفیل عمق تفلون; Plasma-wall interaction; Tungsten nitride; XPS quantification; Bayesian statistics; Sputter depth profiling; SDTrimSp; Ion-induced atom mobilisation; 28.52.Fa; 52.40.Hf; 79.20.Rf; 79.60.Dp;
مقالات ISI پروفیل عمق تفلون (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Keywords: پروفیل عمق تفلون; Sputter depth profiling; Resonance ionization mass spectrometry; Imaging mass spectrometry; Scanning electron microscopy; Ion implantation; Genesis mission;
Keywords: پروفیل عمق تفلون; Surface and interface roughness; Height distribution function; MRI model; Sputter depth profiling; Non-Gaussian height distribution;
Quantitative depth profiling of Si1–xGex structures by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and secondary neutral mass spectrometry
Keywords: پروفیل عمق تفلون; Electron-gas secondary neutral mass spectrometry (SNMS); Mixing-roughness-information depth model (MRI); Reference samples; Si1–xGex structures; Sputter depth profiling; Time-of-flight secondary ion mass spectrometry (TOF-SIMS)
The role of ultra-thin carbon barrier layers for fabrication of La/B4C interferential mirrors: Study by time-of-flight secondary ion mass spectrometry and high-resolution transmission electron microscopy
Keywords: پروفیل عمق تفلون; High-resolution transmission electron microscopy; X-ray interferential mirror; Magnetron sputtering; Sputter depth profiling; Time-of-flight secondary ion mass spectrometry; Ultra-thin films
Sputter depth profiling of Mo/B4C/Si and Mo/Si multilayer nanostructures: A round-robin characterization by different techniques
Keywords: پروفیل عمق تفلون; Sputter depth profiling; Glow discharge optical emission spectroscopy (GDOES); Mo/Si interferential mirror; Round-robin characterization; Secondary ion mass spectrometry (SIMS); Time-of-flight low-energy ion scattering (TOF-LEIS)
A statistical analysis of the lateral displacement of Si atoms in molecular dynamics simulations of successive bombardment with 20-keV C60 projectiles
Keywords: پروفیل عمق تفلون; ToF-SIMS; Sputter depth profiling; Sputtering; Molecular dynamics simulations; Cluster ions; C60+; Si;