Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Lattice vibrations; Graphene nanoribbons; Vacancy-type defects; Forced vibrational method; Armchair-edge;
مقالات ISI نقصهای نوع واگذاری (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Temperature-dependent thermal behavior of impurity hydrogen trapped in vacancy-type defects in single crystal ZnO
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; ZnO; Positron annihilation lifetime spectroscopy; Impurity hydrogen; Vacancy-type defects;
Evolution of vacancy-type defects and hardening behaviors of T91 induced by 1.625Â MeV Fe-ions at different temperatures
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Vacancy-type defects; Irradiation hardening; Self-ion irradiation; T91 steel;
Microstructural evolution of reactor internals stainless steel under xenon irradiation studied by GIXRD and positron annihilation technique
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Stainless steel; Irradiation; Vacancy-type defects; Ferrite phase;
Temperature dependent surface modification of T91 steel under 3.25Â MeV Fe-ion implantation
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Surface modification; Fe-ion implantation; Vacancy-type defects; Nano-indentation hardness;
Positron annihilation Doppler broadening spectroscopy study on Fe-ion irradiated NHS steel
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; F/M steel; Fe-ion irradiation; Positron annihilation spectroscopy; Vacancy-type defects;
Effects of annealing temperature on buried oxide precipitates in He and O co-implanted Si
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Ion implantation; Oxide precipitates; Si–O stretching band; Vacancy-type defects; Microstructures
Precipitates and defects in silicon co-implanted with helium and oxygen
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Ion implantation; SIMOX; Vacancy-type defects; Precipitates; TEM;
Vacancy-type defects near Al surface studied by slow positron annihilation spectroscopy before and after He+ implantation
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Al; Helium; Slow positron annihilation spectroscopy; Vacancy-type defects
The formation and evolution of vacancy-type defects in Ar-implanted silicon studied by slow-positron annihilation spectroscopy
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; Silicon; Ion implantation; Vacancy-type defects; Doppler broadening; Annealing; 78.70.Bj; 61.72.jd; 85.40.Ry;
Comparative characterization of differently grown ZnO single crystals by positron annihilation and Hall effect
Keywords: نقصهای نوع واگذاری; ZnO single crystal; Vacancy-type defects; Slow positron implantation spectroscopy; Hall effect; Charge balance equation