کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1683298 | 1010500 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Precipitates and defects in silicon co-implanted with helium and oxygen
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Nano-bubbles or voids introduced by He implantation before the oxygen implantation collect oxygen and increase the oxygen content in the sample. Furthermore, nano-bubbles or voids can trap Si interstitials to decrease the dislocations at the edge of precipitates. The density and shape of precipitates formed in the initial stage of the separation-by-implanted-oxygen process are related to the size and density of He-induced vacancy-type defects (nano-bubbles and voids). A high density of nano-bubbles is more efficient in gettering than that of a low density of voids.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 269, Issue 8, 15 April 2011, Pages 739-744
Journal: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms - Volume 269, Issue 8, 15 April 2011, Pages 739-744
نویسندگان
B.S. Li, C.H. Zhang, H.H. Zhang, Y. Zhang, Y.T. Yang, L.Q. Zhang,