کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364155 | 871469 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Low power high gain CMOS LNA based on inverter cell and self-body bias for UWB receivers
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A low-power low-noise amplifier (LNA) utilized a resistive inverter configuration feedback amplifier to achieve the broadband input matching purposes. To achieve low power consumption and high gain, the proposed LNA utilizes a current-reused technique and a splitting-load inductive peaking technique of a resistive-feedback inverter for input matching. Two wideband LNAs are implemented by TSMC 0.18 μm CMOS technology. The first LNA operates at 2-6 GHz. The minimum noise figure is 3.6 dB. The amplifier provides a maximum gain (S21) of 18.5 dB while drawing 10.3 mW from a 1.5-V supply. This chip area is 1.028Ã0.921 mm2. The second LNA operates at 3.1-10.6 GHz. By using self-forward body bias, it can reduce supply voltage as well as save bias current. The minimum noise figure is 4.8 dB. The amplifier provides a maximum gain (S21) of 17.8 dB while drawing 9.67 mW from a 1.2-V supply. This chip area is 1.274Ã0.771 mm2.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 11, November 2014, Pages 1463-1469
Journal: Microelectronics Journal - Volume 45, Issue 11, November 2014, Pages 1463-1469
نویسندگان
Meng-Ting Hsu, Yu-Hsien Lin, Yang Jing-Cheng,