کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364233 | 871562 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Monolithic voltage conversion in low-voltage CMOS technologies
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
A high-to-low switching DC-DC converter that operates at input voltages up to two times as high as the maximum voltage permitted in a low-voltage CMOS technology is proposed in this paper. The proposed circuit technique is based on a cascode bridge that maintains the steady-state voltage differences among the terminals of all of the transistors within a range imposed by a specific low-voltage CMOS technology. An efficiency of 87.8% is achieved for 3.6-0.9 V conversion assuming a 0.18 μm CMOS technology. The DC-DC converter operates at a switching frequency of 97 MHz while supplying a DC current of 250 mA to the load.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 9, September 2005, Pages 863-867
Journal: Microelectronics Journal - Volume 36, Issue 9, September 2005, Pages 863-867
نویسندگان
Volkan Kursun, Vivek K. De, Eby G. Friedman, Siva G. Narendra,