کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10364459 871674 2011 5 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear characteristics of on-chip spiral inductors under high RF power
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی کامپیوتر سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Nonlinear characteristics of on-chip spiral inductors under high RF power
چکیده انگلیسی
This paper explores silicon CMOS on-chip spiral inductors performance degradation under high RF power. A novel methodology to calibrate and characterize on-chip spiral inductor with large signal inputs (high/medium power) is presented. Experiments showed 12% degradation of quality factor in a particular inductor design when 34 dBm RF power was applied. The degradation of quality factor of inductor can be attributed to a local self heating effect. Thermal imaging of such an inductor under high RF power validates the hypothesis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 2, February 2011, Pages 440-444
نویسندگان
, , ,