کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364459 | 871674 | 2011 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Nonlinear characteristics of on-chip spiral inductors under high RF power
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper explores silicon CMOS on-chip spiral inductors performance degradation under high RF power. A novel methodology to calibrate and characterize on-chip spiral inductor with large signal inputs (high/medium power) is presented. Experiments showed 12% degradation of quality factor in a particular inductor design when 34Â dBm RF power was applied. The degradation of quality factor of inductor can be attributed to a local self heating effect. Thermal imaging of such an inductor under high RF power validates the hypothesis.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 2, February 2011, Pages 440-444
Journal: Microelectronics Journal - Volume 42, Issue 2, February 2011, Pages 440-444
نویسندگان
Shengyu Jin, Huai Gao, G.P. Li,