کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364669 | 871773 | 2015 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Temperature, humidity, and bias acceleration model for a GaAs pHEMT process
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
This paper investigates the moisture failure acceleration factors for a GaAs pHEMT process. The activation energy Ea and the moisture accelerating factor n were extracted and were shown to be different from those previously reported for Si devices and for another GaAs pHEMT process. The impact of bias was studied and a humidity-induced semiconductor failure model, incorporating bias acceleration, was proposed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 12, Part A, December 2015, Pages 2511-2515
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 55, Issue 12, Part A, December 2015, Pages 2511-2515
نویسندگان
Gergana I. Drandova,