کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10364753 | 871793 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of moisture condensation on long-term reliability of crystalline silicon photovoltaic modules
ترجمه فارسی عنوان
اثر تراکم رطوبت بر قابلیت اطمینان طولانی مدت ماژول های فتوولتائیک سیلیکون بلوری
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
EVAMTTFEthylene vinyl acetate - اتیلن وینیل استاتMoisture condensation - تراکم رطوبتAccelerated tests - تست های سریعDamp heat - حرارت ملایمRelative humidity - رطوبت نسبیAcceleration factor - فاکتور شتابPhotovoltaic - فتوولتائیکMean time to failure - متوسط زمان شکستInternational Electrotechnical Commission - کمیسیون بین المللی الکتروتکنیکIEC - کمیسیون مستقل انتخابات
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
Moisture condensation (MC) can occur in photovoltaic (PV) modules in hot and humid climates, and the resulting water droplets can cause more areas of corrosion. Therefore, in this study, MC history of PV modules exposed to Miami climate (FL, USA) has been derived employing corresponding meteorological data. The duration of MC versus temperature of PV module (Tmodule) was calculated over 1Â year. Furthermore, five types of accelerated tests were conducted to develop a MC-induced degradation prediction model. The thermal activation energy, 0.4524Â eV, was calculated. The Brunauer-Emmett-Teller (BET) model was used to predict the degradation rate. The accumulated degradation rate of a PV module exposed to the accelerated condition of MC was 1.45Â times greater than that of damp heat (DH). The effect of encapsulant materials on the frequency of MC and accumulated degradation rate over 1Â year were calculated in the Miami climate.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 53, Issue 12, December 2013, Pages 1922-1926
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 53, Issue 12, December 2013, Pages 1922-1926
نویسندگان
Nochang Park, Changwoon Han, Donghwan Kim,