کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10365683 | 872161 | 2014 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Effect of electron irradiation on morphological, compositional and electrical properties of nanocluster carbon thin films grown using room temperature based cathodic arc process for large area microelectronics
ترجمه فارسی عنوان
اثر تابش الکترونی بر خواص مورفولوژیکی، ترکیبات و الکتریکی نایلونهای نازک کربن نازک رشد شده با استفاده از فرایند قوس کاتدی متکی بر دمای اتاق برای میکروالکترونیک بزرگ منطقه
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
نایلون کربن نازک فیلم، فرآیند قوس کاتدی طیف سنجی رامان، تابش الکترونی، تراکم نقص، رسانایی الکتریکی،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
The influence of 8Â MeV electron beam bombardment on room temperature grown nanocluster carbon using cathodic arc process has been studied here. Atomic force microscopy (AFM) study shows that surface roughness varies with varying electron doses. High doses of electrons could causes thermal induce graphitization and morphological changes in the films. Raman spectroscopy analysis reveals that G-peak vary from 1555Â cmâ1 to 1570Â cmâ1 and D-peak varying from 1361Â cmâ1 to 1365Â cmâ1 indicating the disorderness and presence of both graphitic and diamond-like phases. Room temperature conductivity changes by two to three orders in magnitude. The conductivity in the films could be due to conduction of charge carriers through neighboring islands of conductive chains. Defect states calculated using the differential technique varies from 8Â ÃÂ 1017cmâ3Â eVâ1 to 1.5Â ÃÂ 1019Â cmâ3Â eVâ1. Irradiation of nanocluster carbon thin films could be helpful to tune the electrical properties and defect densities of the nanocluster carbon films for various large area, flexible electronic and nano electronic applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2740-2746
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 54, Issue 12, December 2014, Pages 2740-2746
نویسندگان
Shounak De, B.S. Satyanarayana, Ganesh Sanjeev, K. Ramakrishna, Mohan Rao K., Manjunatha Pattabi,