کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10403013 | 892181 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
MBE: on the light side
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی برق و الکترونیک
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The UCSB Santa Barbara location suited the North American Molecular Beam Epitaxy conference, with its relaxed, close-knit community. Sitting outside the amiably small airport, waiting to depart, after the conference, Ravi Droopad, Distinguished Member of Freescale Semiconductor technical staff reflected that NAMBE had been workshops and changed considerably, with the 2005 meeting, unlike earlier ones, showing in its attention to oxides and advanced material, the pressures now facing dead-end silicon.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: III-Vs Review - Volume 18, Issue 8, November 2005, Pages 22-25
Journal: III-Vs Review - Volume 18, Issue 8, November 2005, Pages 22-25
نویسندگان
Gail Purvis,