کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10414255 896427 2014 13 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Characterization of partially dissipated solitons in a traveling-wave field-effect transistor
ترجمه فارسی عنوان
خصوصیات سلولیت هایی که به طور جزئی تخلیه شده اند در ترانزیستور اثر میدان موج حرکت می کنند
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه سایر رشته های مهندسی مهندسی مکانیک
چکیده انگلیسی
We investigate the Korteweg-de Vries equation with nonlinear dissipation, which becomes finite only for small field intensities. Using the perturbation theory based on the inverse scattering transform, we evaluate the amplitude and the phase of both one- and two-soliton solutions to show that large solitons can travel without significant amplitude decay over a long distance. We then develop a traveling-wave field-effect transistor (TWFET) that supports such partially dissipated solitons. Using both the numerical and experimental characterization of a TWFET, we validate the properties of partially dissipated solitons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Communications in Nonlinear Science and Numerical Simulation - Volume 19, Issue 3, March 2014, Pages 494-506
نویسندگان
,