کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10482010 933251 2011 8 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of the non-equilibrium effects by high electric fields in small semiconductor devices
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه ریاضیات فیزیک ریاضی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Modeling of the non-equilibrium effects by high electric fields in small semiconductor devices
چکیده انگلیسی
► Phonons are treated as a participating species, which bring energy and momentum. ► A new asymptotic expansion is utilized to construct the hydrodynamical equations. ► A two-fluid model is constructed for the mixture of electrons and phonons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 390, Issue 20, 1 October 2011, Pages 3329-3336
نویسندگان
,