کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10482010 | 933251 | 2011 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Modeling of the non-equilibrium effects by high electric fields in small semiconductor devices
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
ریاضیات
فیزیک ریاضی
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Phonons are treated as a participating species, which bring energy and momentum. ⺠A new asymptotic expansion is utilized to construct the hydrodynamical equations. ⺠A two-fluid model is constructed for the mixture of electrons and phonons.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 390, Issue 20, 1 October 2011, Pages 3329-3336
Journal: Physica A: Statistical Mechanics and its Applications - Volume 390, Issue 20, 1 October 2011, Pages 3329-3336
نویسندگان
A. Rossani,