کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566152 | 972206 | 2013 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Origin of mechanical strain sensitivity of pentacene thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
منشاء حساسیت فشار مکانیکی ترانزیستورهای نازک پلانتین
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
- Electrical and morphological characterization of flexible OTFT devices under applied bending-stress is reported.
- Bending-stress modifies the lateral spacing between individual pentacene crystallites.
- The deterioration of the metal electrodes is found to be responsible for irreversibilities in the device characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 5, May 2013, Pages 1323-1329
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 5, May 2013, Pages 1323-1329
نویسندگان
V. Scenev, P. Cosseddu, A. Bonfiglio, I. Salzmann, N. Severin, M. Oehzelt, N. Koch, J.P. Rabe,