کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566293 | 972312 | 2014 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Intrinsic difference in Schottky barrier effect for device configuration of organic thin-film transistors
ترجمه فارسی عنوان
تفاوت ذاتی در اثرات مانع شاتکی برای تنظیم دستگاه از ترانزیستورهای نازک آلومینیومی
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستور فیلم نازک آلی، مانع شاتکی، انتشار میدان حرارتی، شبیه سازی دستگاه، دوپینگ محدود تماس با منطقه،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 7, July 2014, Pages 1571-1578
Journal: Organic Electronics - Volume 15, Issue 7, July 2014, Pages 1571-1578
نویسندگان
Kei Noda, Yasuo Wada, Toru Toyabe,