کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566635 | 972336 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Organic field-effect transistor based sensors with sensitive gate dielectrics used for low-concentration ammonia detection
ترجمه فارسی عنوان
سنسورهای مبتنی بر ترانزیستور اثر میدان الکتریکی با دی الکتریک دروازه حساس مورد استفاده برای تشخیص آمونیاک با غلظت کم
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
ترانزیستورهای اثر میدان مغناطیسی آلی، سنسورها / بیوسنسورها، الکترونیک ارگانیک، دی الکتریک پلیمرهای کنجد
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
چکیده انگلیسی
⺠A novel OFET-sensor concept based on an active-sensing dielectric is presented. ⺠The concept provides inherent semiconductor protection against air exposure. ⺠The concept provides a promising platform for integrated, smart sensor systems. ⺠The concept was successfully evaluated with ammonia as gaseous analyte. ⺠The sensor mechanism is attributed to generated mobile ions in the dielectric.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 2, February 2013, Pages 500-504
Journal: Organic Electronics - Volume 14, Issue 2, February 2013, Pages 500-504
نویسندگان
Andreas Klug, Martin Denk, Thomas Bauer, Martina Sandholzer, Ullrich Scherf, Christian Slugovc, Emil J.W. List,