کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566694 | 972341 | 2012 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The understanding of the memory nature and mechanism of the Ta2O5-gate-dielectric-based organic phototransistor memory
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠OPTM is brand new for its optical writing and electrical erasing processes. ⺠UV-Vis, XPS and KFM have been employed to identify the memory nature and mechanism. ⺠The positive charge surface of Ta2O5 and the energy level alignment contribute to the memory effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 2917-2923
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 2917-2923
نویسندگان
Xiaohui Liu, Guifang Dong, Dan Zhao, Yapei Wang, Lian Duan, Liduo Wang, Yong Qiu,