کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10566694 972341 2012 7 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The understanding of the memory nature and mechanism of the Ta2O5-gate-dielectric-based organic phototransistor memory
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه شیمی شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
The understanding of the memory nature and mechanism of the Ta2O5-gate-dielectric-based organic phototransistor memory
چکیده انگلیسی
► OPTM is brand new for its optical writing and electrical erasing processes. ► UV-Vis, XPS and KFM have been employed to identify the memory nature and mechanism. ► The positive charge surface of Ta2O5 and the energy level alignment contribute to the memory effect.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 12, December 2012, Pages 2917-2923
نویسندگان
, , , , , , ,