کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10566900 | 972363 | 2012 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fixed negative interface charges compromise organic ferroelectric field-effect transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Fabrication of low-switching-voltage organic ferroelectric field effect transistors. ⺠Two orders of magnitude difference in ID between on and off states at VG = 0 V. ⺠C-V measurements confirm stability of ferroelectric polarization in depletion. ⺠Apparent loss of polarization due to neutralization by negative interface charge. ⺠Negative charges migrate through the ferroelectric when transistor in accumulation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 5, May 2012, Pages 875-884
Journal: Organic Electronics - Volume 13, Issue 5, May 2012, Pages 875-884
نویسندگان
R. Kalbitz, R. Gerhard, D.M. Taylor,