| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10578778 | 979782 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular precursors for the CVD of niobium and tantalum nitride
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی معدنی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low pressure chemical vapour deposition of [NbCl3(NSiMe2Ph)(NH2SiMe2Ph)]2 and [TaCl3(NSiMe3)(NC5H3Me2-3,5)2] forms thin films of niobium and tantalum nitride, respectively, at 600 °C.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Polyhedron - Volume 24, Issue 3, 17 February 2005, Pages 463-468
Journal: Polyhedron - Volume 24, Issue 3, 17 February 2005, Pages 463-468
نویسندگان
Jenelle E. Bleau, Claire J. Carmalt, Shane A. O'Neill, Ivan P. Parkin, Andrew J. P. White, David J. Williams,