کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10626113 | 989643 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Transparent Al-In-Zn-O Oxide semiconducting films with various in composition for thin-film transistor applications
ترجمه فارسی عنوان
فیلم های نیمه رسانا اکسید آلومینیوم شفاف با ترکیبات مختلف برای کاربردهای ترانزیستور نازک
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
چکیده انگلیسی
Al-In-Zn-O thin-film transistors were fabricated. To examine the effect of In composition, we adopted a co-sputtering method using Al-Zn-O and In2O3 targets. The sputtering power of In2O3 was varied to 200, 150, and 50Â W. The mobility and turn-on voltage of each device were 27.8Â cm2Vâ1Â sâ1 and â4.2Â V, 4.5Â cm2Vâ1Â sâ1 and â3.5Â V, 0.7Â cm2Vâ1Â sâ1 and â3Â V, respectively. We also investigated instabilities under negative gate bias stress (NBS) and negative bias illumination stress (NBIS). While the NBS was not influenced by the In contents, the NBIS characteristics were optimized for the device with In2O3 sputtering at 150Â W.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 39, Issue 3, April 2013, Pages 2561-2566
Journal: Ceramics International - Volume 39, Issue 3, April 2013, Pages 2561-2566
نویسندگان
Jun Yong Bak, Shinhyuk Yang, Sung Min Yoon,