کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10626549 | 989689 | 2005 | 8 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Comparison of the microstructures and ferroelectric characteristics of sputter deposited PZT films with and without lead or lead oxide for compensation
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Comparison of the microstructures and ferroelectric characteristics of sputter deposited PZT films with and without lead or lead oxide for compensation Comparison of the microstructures and ferroelectric characteristics of sputter deposited PZT films with and without lead or lead oxide for compensation](/preview/png/10626549.png)
چکیده انگلیسی
The success in depositing perovskite PZT films using a Pb/PZT and PbO/PZT dual-target sputtering system presents the possibility of processing windows of substrate temperature between 500 °C and 580 °C. Structural change as a function of deposition conditions and lead sources correlated with ferroelectric characteristics.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ceramics International - Volume 31, Issue 3, 2005, Pages 461-468
Journal: Ceramics International - Volume 31, Issue 3, 2005, Pages 461-468
نویسندگان
W.L. Chang, J.L. He,