کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10631388 | 991713 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Strong influence of boron doping on nanocrystalline silicon-carbide formation by using photo-CVD technique
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We select the boron as a dopant of wide bandgap nanocrystalline silicon-carbide (nc-SiC:H) film in order to achieve a high conductivity. Boron atoms introduced at the growing surface play important roles on the structural, electrical and optical characteristics of this material. It is found that they hinder the nucleation of nanocrystallites by elevating the deposition speed. Therefore, a relevant light doping is essential to improve the electrical conductivity without deteriorating significantly the crystallinity and optical bandgap.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issue 1, 1 January 2005, Pages 89-92
Journal: Journal of Non-Crystalline Solids - Volume 351, Issue 1, 1 January 2005, Pages 89-92
نویسندگان
Seung Yeop Myong, Oleg Shevaleevskiy, Koeng Su Lim, Shinsuke Miyajima, Makoto Konagai,