کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10632199 | 992393 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Formation of Si nanocrystals utilizing a Au nanoscale island etching mask
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Si nanocrystals were formed by using a Au nanoscale island etching mask. A high-resolution transmission electron microscopy image showed that the Si nanocrystals were created on a SiOx layer, and the luminescence peak related to Si nanocrystals was observed in the cathodoluminescence spectrum. Capacitance-voltage measurements demonstrate a metal-insulator-semiconductor behavior with a flatband voltage shift for the Al/SiO2/nanocrystalline Si/SiO2/p-Si structures, indicative of the existence of the Si nanocrystals embedded into the SiOx layer. These results indicate that Si nanocrystals embedded into the SiOx layer can be formed by using a Au island etching mask.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 40, Issue 1, 4 January 2005, Pages 193-198
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 40, Issue 1, 4 January 2005, Pages 193-198
نویسندگان
Y.M. Kang, S.J. Lee, D.Y. Kim, T.W. Kim, Y.-D. Woo, K.L. Wang,