کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10632673 | 992433 | 2005 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Structural, electrical and optical properties of Bi2Se3 and Bi2Se(3âx)Tex thin films
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سرامیک و کامپوزیت
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Thin films of Bi2Se3, Bi2Se2.9Te0.1, Bi2Se2.7Te0.3 and Bi2Se2.6Te0.4 are prepared by compound evaporation. Micro structural, optical and electrical measurements are carried out on these films. X-ray diffraction pattern indicates that the as-prepared films are polycrystalline in nature with exact matching of standard pattern. The composition and morphology are determined using energy dispersive X-ray analysis and scanning electron microscopy (SEM). The optical band gap, which is direct allowed, is 0.67Â eV for Bi2Se3 thin films and the activation energy is 53Â meV. Tellurium doped thin films also show strong optical absorption corresponding to a band gap of 0.70-0.78Â eV. Absolute value of electrical conductivity in the case of tellurium doped thin film shows a decreasing trend with respect to parent structure.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 40, Issue 8, 11 August 2005, Pages 1314-1325
Journal: Materials Research Bulletin - Volume 40, Issue 8, 11 August 2005, Pages 1314-1325
نویسندگان
Saji Augustine, S. Ampili, Jeung Ku Kang, Elizabeth Mathai,