کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10639875 | 995719 | 2013 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the relationship between the kink effect and the indium levels in MOS transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Low frequency (LF) output conductance dispersion analysis based on the Gain-Phase versus frequency biased in the saturation zone for Vds < Vkink (where In is supposed to be inactive) is used to analyse the indium-related levels in nMOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 20, 1 December 2013, Pages 1458-1463
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 20, 1 December 2013, Pages 1458-1463
نویسندگان
N. Hizem, A. Fargi, A. Kalboussi, A. Souifi,