کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10639875 995719 2013 6 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Analysis of the relationship between the kink effect and the indium levels in MOS transistors
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Analysis of the relationship between the kink effect and the indium levels in MOS transistors
چکیده انگلیسی
Low frequency (LF) output conductance dispersion analysis based on the Gain-Phase versus frequency biased in the saturation zone for Vds < Vkink (where In is supposed to be inactive) is used to analyse the indium-related levels in nMOSFETs.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 178, Issue 20, 1 December 2013, Pages 1458-1463
نویسندگان
, , , ,