کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10639998 | 995864 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Improvements of AlGaN/GaN p-i-n UV sensors with graded AlGaN layer for the UV-B (280-320Â nm) detection
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
AlxGa1âxN/GaN p-i-n UV sensors grown by metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) were fabricated for the UV-B (280-320 nm) detection. With a proper structure design by including a thin top p-layer and a graded AlxGa1âxN (x = 0.26 â 0.13) layer, the etching pit density (EPD) and the specific contact resistance of top p-layer can be significantly decreased. Device dark current density decreased from 3.5 Ã 10â7 to 2.49 Ã 10â11 A/cm2 at â3V and the spectrum responsivity at 310 nm UV-B range is 0.04 A/W, which is much better than traditional AlGaN-based devices without graded layer design.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 122, Issue 3, 25 September 2005, Pages 196-200
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 122, Issue 3, 25 September 2005, Pages 196-200
نویسندگان
Su-Sir Liu, Pei-Wen Li, W.H. Lan, Wen-Jen Lin,