کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10640039 | 995866 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Microstructural improvement of sputtered ZrO2 thin films by substrate biasing
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
مواد الکترونیکی، نوری و مغناطیسی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We have fabricated zirconia (ZrO2) thin films on Si(1Â 0Â 0) wafers that possess excellent crystallinity and orientation. Furthermore, the interfacial properties between the thin films and Si substrate have been improved by means of substrate biasing. The influence of the substrate bias on the interfacial and microstructural characteristics of the ZrO2 thin films has been investigated in details. Our results show that by applying a suitable bias to the Si substrate, the microstructure of ZrO2 thin films becomes more ordered and the interfacial by-products can be suppressed. The effects and mechanism of the bias on the microstructure of the thin films are described.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issue 3, 15 August 2005, Pages 244-247
Journal: Materials Science and Engineering: B - Volume 121, Issue 3, 15 August 2005, Pages 244-247
نویسندگان
A.P. Huang, Paul K. Chu,