کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653165 | 1002842 | 2005 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Mechanism of formation of highly conductive layer on ZnO crystal surface
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The mechanism of formation of a thin highly conductive layer, which is known to be present on ZnO surface, has been proposed. This process has been assumed to consist in accumulation of mobile shallow donors at crystal surface due to their drift in band-bending electric field caused by adsorbed oxygen. Experimental results that confirm this mechanism have been obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 8, November 2005, Pages 475-478
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 8, November 2005, Pages 475-478
نویسندگان
I.V. Markevich, V.I. Kushnirenko, L.V. Borkovska, B.M. Bulakh,