کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10653325 | 1002866 | 2005 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
The g-values of defects in hydrogenated microcrystalline silicon
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
دانش مواد (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The anisotropic g-values of defects in hydrogenated microcrystalline silicon prepared by hot-wire chemical vapour deposition have been measured as a function of crystalline volume fraction at room temperature. The defect has been identified as a silicon-dangling bond existing on the surface of crystalline grain. Their anisotropic g-values are discussed in the light of theoretical calculations by Ishii et al. and Ishii and Shimizu. The defect density is also discussed as a function of crystalline volume fraction.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 5, November 2005, Pages 308-312
Journal: Solid State Communications - Volume 136, Issue 5, November 2005, Pages 308-312
نویسندگان
K. Morigaki, C. Niikura,