| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن | 
|---|---|---|---|---|
| 10653578 | 1002893 | 2005 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان | 
عنوان انگلیسی مقاله ISI
												Novel structure of single-electron two-channel multiplexer/demultiplexer
												
											دانلود مقاله + سفارش ترجمه
													دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
																																												موضوعات مرتبط
												
													مهندسی و علوم پایه
													مهندسی مواد
													دانش مواد (عمومی)
												
											پیش نمایش صفحه اول مقاله
												 
												چکیده انگلیسی
												We propose a novel structure of single-electron two-channel multiplexer and demultiplexer based on three coupled single-dopant quantum dots defined by enhancement gates on AlGaAs/GaAs heterostructure. Two side-gates next to the dots are designed for applying a lateral switching field to the structure. A simple model of spherical parabolic quantum dot within effective-mass approximation demonstrates that the coupling strengths of the dots are adjustable by applying a lateral field. This gives the promise on achieving the functions of multiplexing and demultiplexing through the proposed structure.
											ناشر
												Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Communications - Volume 134, Issue 8, May 2005, Pages 571-576
											Journal: Solid State Communications - Volume 134, Issue 8, May 2005, Pages 571-576
نویسندگان
												K.-M. Hung, Y.-S. Wu,