کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10668437 | 1008366 | 2011 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Amorphous Boron containing silicon carbo-nitrides created by ion sputtering
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Amorphous Boron containing silicon carbo-nitrides created by ion sputtering Amorphous Boron containing silicon carbo-nitrides created by ion sputtering](/preview/png/10668437.png)
چکیده انگلیسی
⺠Silicon SiBCN films were deposited by ion beam assisted deposition (IBAD) method. ⺠The films were amorphous, fully dense and showed high hardness up to 33 GPa. ⺠Low friction coefficient of about 0.3 may be the result of C nanoclusters. ⺠The material has an onset of rapid thermal oxidation at 1150 °C in air. ⺠The films have a Tauc bandgap between 2.2 and 2.8 eV and are insulating.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 206, Issue 1, 15 October 2011, Pages 149-154
Journal: Surface and Coatings Technology - Volume 206, Issue 1, 15 October 2011, Pages 149-154
نویسندگان
V.M. Vishnyakov, A.P. Ehiasarian, V.V. Vishnyakov, P. Hovsepian, J.S. Colligon,