کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672450 | 1009859 | 2015 | 9 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography](/preview/png/10672450.png)
چکیده انگلیسی
A series of annealed samples have been analysed, presenting an inhomogeneous carbon distribution, appearing in the shape of small clusters. These findings confirm previous results and give a better understanding of the processes occurring in these technologically important materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 223-231
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 223-231
نویسندگان
Robert Estivill, Adeline Grenier, Sébastien Duguay, François Vurpillot, Tanguy Terlier, Jean-Paul Barnes, Jean-Michel Hartmann, Didier Blavette,