کد مقاله کد نشریه سال انتشار مقاله انگلیسی نسخه تمام متن
10672450 1009859 2015 9 صفحه PDF دانلود رایگان
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه مهندسی مواد فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
Quantitative analysis of Si/SiGeC superlattices using atom probe tomography
چکیده انگلیسی
A series of annealed samples have been analysed, presenting an inhomogeneous carbon distribution, appearing in the shape of small clusters. These findings confirm previous results and give a better understanding of the processes occurring in these technologically important materials.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 159, Part 2, December 2015, Pages 223-231
نویسندگان
, , , , , , , ,