کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672529 | 1009916 | 2011 | 15 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Scanning transmission electron microscopy imaging dynamics at low accelerating voltages
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
⺠Both elastic and inelastic scattering in STEM are acceleration voltage dependent. ⺠HAADF, EELS and ABF imaging are assessed with a view to optimum imaging. ⺠Lower accelerating voltages improve STEM EELS contrast in very thin crystals. ⺠Higher accelerating voltages give better STEM EELS contrast in thicker crystals. ⺠At fixed resolution, higher accelerating voltage aids ABF imaging of light elements.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 8, July 2011, Pages 999-1013
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 8, July 2011, Pages 999-1013
نویسندگان
N.R. Lugg, S.D. Findlay, N. Shibata, T. Mizoguchi, A.J. D'Alfonso, L.J. Allen, Y. Ikuhara,