| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 10672568 | 1009916 | 2011 | 12 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Composition mapping in InGaN by scanning transmission electron microscopy
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
⺠Composition mapping in InGaN using quantitative STEM. ⺠No electron beam induced In clustering in InGaN observed for STEM. ⺠Small influence of lattice plane bending for STEM of InGaN/GaN. ⺠In composition fluctuations in InGaN detected.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 8, July 2011, Pages 1316-1327
Journal: Ultramicroscopy - Volume 111, Issue 8, July 2011, Pages 1316-1327
نویسندگان
Andreas Rosenauer, Thorsten Mehrtens, Knut Müller, Katharina Gries, Marco Schowalter, Parlapalli Venkata Satyam, Stephanie Bley, Christian Tessarek, Detlef Hommel, Katrin Sebald, Moritz Seyfried, Jürgen Gutowski, Adrian Avramescu, Karl Engl,