کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10672591 | 1009919 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Experimental observation of the improvement in MTF from backthinning a CMOS direct electron detector
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
فناوری نانو (نانو تکنولوژی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The modulation transfer functions of prototype backthinned CMOS direct electron detectors have been measured at 300 keV. At zero spatial frequency, in non-backthinned 700-μm-thick detectors, the backscattered component makes up over 40% of the total signal but, by backthinning to 100, 50 or 35 μm, this can be reduced to 25%, 15% and 10%, respectively. For the 35 μm backthinned detector, this reduction in backscatter increases the MTF by 40% for spatial frequencies between 0.1 and 1.0 Nyquist. As discussed in the main text, reducing backscattering in backthinned detectors should also improve DQE.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Ultramicroscopy - Volume 109, Issue 9, August 2009, Pages 1144-1147
Journal: Ultramicroscopy - Volume 109, Issue 9, August 2009, Pages 1144-1147
نویسندگان
G. McMullan, A.R. Faruqi, R. Henderson, N. Guerrini, R. Turchetta, A. Jacobs, G. van Hoften,