کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10673397 | 1010245 | 2015 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Changes in surface layer of silicon wafers from diamond scratching
ترجمه فارسی عنوان
تغییرات در لایه سطحی وفل های سیلیکونی از الماس خراش
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
یکپارچگی سطح، سنگ زنی، سیلیکون،
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
سایر رشته های مهندسی
مهندسی صنعتی و تولید
چکیده انگلیسی
This study investigates diamond scratching at a high speed comparable to that in a grinding process on an ultraprecision grinder. Diamond tips are prepared for the study. The scratched silicon wafer is observed for changes in the surface layer with transmission electron microscopy. The observation discovers that an amorphous layer is formed on top of the pristine Si-I phase before the onset of chip formation. This discovery is different from the previous findings in which a damaged silicon layer is identified underneath the amorphous layer. Furthermore, no high pressure phase is found before the onset of chip formation.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: CIRP Annals - Volume 64, Issue 1, 2015, Pages 349-352
Journal: CIRP Annals - Volume 64, Issue 1, 2015, Pages 349-352
نویسندگان
Zhenyu Zhang, Bo Wang, Renke Kang, Bi Zhang, Dongming Guo,