کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
10676150 | 1011264 | 2012 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Molecular effect on surface topography of GaN bombarded with PF4 ions
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی مواد
سطوح، پوششها و فیلمها
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We study surface topography and thickness of GaN layers implanted at room temperature with 1.3Â keV/amu F, P, and PF4 cluster ions. Results show that the density of collision cascades has a dramatic effect on the surface roughness and the thickness of implanted layers. Surface roughness increases with increasing cascade density. For very dense cascades produced by PF4 ions, the evolution of layer thickness is dominated by ion-induced sputtering. In contrast, for the case of P ions producing less dense cascades, ion-induced swelling is observed.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 10, 27 April 2012, Pages 1638-1641
Journal: Vacuum - Volume 86, Issue 10, 27 April 2012, Pages 1638-1641
نویسندگان
A.I. Titov, P.A. Karaseov, V.S. Belyakov, K.V. Karabeshkin, A.V. Arkhipov, S.O. Kucheyev, A.Yu. Azarov,