کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11002904 | 1450513 | 2018 | 6 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Implications of electron beam irradiation on Al/n-Si Schottky junction properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 91, Part 1, December 2018, Pages 179-184
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 91, Part 1, December 2018, Pages 179-184
نویسندگان
Indudhar Panduranga Vali, Pramoda Kumara Shetty, M.G. Mahesha, V.C. Petwal, Jishnu Dwivedi, D.M. Phase, R.J. Choudhary,