| کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
|---|---|---|---|---|
| 11012399 | 1800152 | 2018 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Normalized differential conductance to study current conduction mechanisms in MOS structures
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
A qualitative favorable comparison between experimental data and simulated results is also obtained.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 91, Part 2, December 2018, Pages 183-187
Journal: Microelectronics Reliability - Volume 91, Part 2, December 2018, Pages 183-187
نویسندگان
T.H. Nouibat, Z. Messai, D. Chikouch, Z. Ouennoughi, N. Rouag, M. Rommel, L. Frey,