Keywords: دستگاه MOS; HfO2; Al2O3; MOS device; Ge MOS
مقالات ISI دستگاه MOS (ترجمه نشده)
مقالات زیر هنوز به فارسی ترجمه نشده اند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
در صورتی که به ترجمه آماده هر یک از مقالات زیر نیاز داشته باشید، می توانید سفارش دهید تا مترجمان با تجربه این مجموعه در اسرع وقت آن را برای شما ترجمه نمایند.
Normalized differential conductance to study current conduction mechanisms in MOS structures
Keywords: دستگاه MOS; Normalized Differential Conductance (NDC); Conduction mechanism; Parameter extractions; MOS device; Fowler-Nordheim; Poole-Frenkel;
Estimation of temperature impact on gamma-induced degradation parameters of N-channel MOS transistor
Keywords: دستگاه MOS; Irradiation temperature; Radiation-induced defect; Analytical model; MOS device;
The effect of interface trapped charge on threshold voltage shift estimation for gamma irradiated MOS device
Keywords: دستگاه MOS; Interface trap charge; Threshold voltage shift; MOS device; TID
Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties
Keywords: دستگاه MOS; Germanium; High-k dielectrics; Hafnium oxide (HfO2); MOS device; Synchrotron radiation photoemission spectroscopy;
Irradiation effects of 6 MeV electron on electrical properties of Al/Al2O3/n-Si MOS capacitors
Keywords: دستگاه MOS; MOS device; Electron irradiation; Interface trap density; Flat band voltage; Leakage current; Al2O3
6 MeV electron irradiation effects on electrical properties of Al/TiO2/n-Si MOS capacitors
Keywords: دستگاه MOS; MOS device; Electron irradiation; C–V measurement; Leakage current; TiO2
Comparison of positive and negative bias-temperature instability on MOSFETs with HfO2/LaOx and HfO2/AlOx dielectric stacks
Keywords: دستگاه MOS; Charge pumping; High-κ; Trap generation; BTI; MOS device
Effect of leakage current and dielectric constant on single and double layer oxides in MOS structure
Keywords: دستگاه MOS; Leakage current; Dielectric constant; Poole–Frenkel emission; Schottky emission; Al2O3; TiO2; MOS device
Gate line edge roughness amplitude and frequency variation effects on intra die MOS device characteristics
Keywords: دستگاه MOS; Line edge roughness; Roughness amplitude; Roughness frequency; Roughness wavelength; Lognormal distribution; Thermodynamic-variational model; MOS device; Capacitance; Threshold voltage; TCAD