کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
6943976 | 1450372 | 2013 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ge diffusion and bonding state change in metal/high-k/Ge gate stacks and its impact on electrical properties
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 137-141
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 109, September 2013, Pages 137-141
نویسندگان
Takuji Hosoi, Iori Hideshima, Ryohei Tanaka, Yuya Minoura, Akitaka Yoshigoe, Yuden Teraoka, Takayoshi Shimura, Heiji Watanabe,