کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
538864 | 1450317 | 2016 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Fabrication of Graphene Field-effect Transistor with Field Controlling Electrodes to improve fT
ترجمه فارسی عنوان
ساخت ترانزیستور اثر میدانی گرافن با الکترودهای کنترل میدان به منظور بهبود fT
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
گرافن؛ ترانزیستور اثر میدانی؛ RF؛ ساخت؛ مقاومت دسترسی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
چکیده انگلیسی
In this letter, we report on the fabrication and DC/RF characterization of a novel Graphene Field-effect Transistor (GFET) with two additional contacts at the access regions. The additional contacts—Field Controlling Electrodes (FCEs), are capacitively coupled to the ungated access regions and independently biased to control the access resistance. The reduced access resistance resulted in an increased current-gain cutoff frequency (fT). The fabricated proposed device could be used for radio frequency (RF) applications.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 164, 1 October 2016, Pages 71–74
Journal: Microelectronic Engineering - Volume 164, 1 October 2016, Pages 71–74
نویسندگان
C. Al-Amin, M. Karabiyik, N. Pala,