کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
11016442 | 1777112 | 2018 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
NBTI and irradiation related degradation mechanisms in power VDMOS transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
مهندسی کامپیوتر
سخت افزارها و معماری
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
In this paper it is shown that NBT stress effects in previously irradiated devices are strongly dependent on the total dose received. Namely, in the case of low-dose irradiation the subsequent NBT stress seems to lead to further device degradation. On the other hand, in the case of devices previously irradiated to higher doses, NBT stress seems to have positive role as it practically anneals a part of radiation-induced degradation. The total dose received at which NBT stress almost completely anneals radiation-induced degradation is determined to be around 60â¯Gy.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 135-141
Journal: Microelectronics Reliability - Volumes 88â90, September 2018, Pages 135-141
نویسندگان
N. StojadinoviÄ, S. DjoriÄ-VeljkoviÄ, V. DavidoviÄ, S. GoluboviÄ, S. StankoviÄ, A. PrijiÄ, Z. PrijiÄ, I. ManiÄ, D. DankoviÄ,