کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264199 | 972113 | 2010 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electrical bistability and spin valve effect in a ferromagnet/organic semiconductor/ferromagnet heterojunction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
We report a study of the electrical bistability and bias-controlled spin valve effect in an organic device using rubrene (C42H28) as an organic semiconductor channel. The half-metallic La0.7Sr0.3MnO3 (LSMO) and Fe are used as the two ferromagnetic electrodes. The device displays reproducible switching between a low-impedance (ON) state and a high-impedance (OFF) state by applying different polarities of high biases. In the ON state, the device shows a spin valve effect with magnetoresistance values up to 3.75%. The observed spin valve effect disappears when the device recovers to the initial OFF state.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 6, June 2010, Pages 1149–1153
Journal: Organic Electronics - Volume 11, Issue 6, June 2010, Pages 1149–1153
نویسندگان
Bin Li, Jung-Woo Yoo, Chi-Yueh Kao, Ho Won Jang, Chang-Beom Eom, Arthur J. Epstein,