کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1264399 | 972134 | 2007 | 5 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Metal contacts in thin-film transistors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
The effects of metal contacts on the electrical characteristics in thin-film transistors are discussed. It is found that the effects of these contacts are twofold. First, a constant potential that can range from zero to some volts (half the bandgap) is added to the entire channel. Second, a residual barrier is formed with a height that depends on the bias, and is in the order of tens of meV when a current is present. It is shown that these predicted effects are in agreement with experimental observations.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 300–304
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 4, August 2007, Pages 300–304
نویسندگان
P. Stallinga, H.L. Gomes,