کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1265181 | 972199 | 2009 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Contact effects in organic thin-film transistor sensors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Contact effects in organic thin-film transistors (OTFTs) sensors are here investigated specifically respect to the gate field-induced sensitivity enhancement of more than three orders of magnitude seen in a DHα6T OTFT sensor exposed to 1-butanol vapors. This study shows that such a sensitivity enhancement effect is largely ascribable to changes occurring to the transistor channel resistance. Effects, such as the changes in contact resistance, are seen to influence the low gate voltage regime where the sensitivity is much lower.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 2, April 2009, Pages 233–239
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 2, April 2009, Pages 233–239
نویسندگان
Luisa Torsi, Francesco Marinelli, M. Daniela Angione, Antonio Dell’Aquila, Nicola Cioffi, Elvira De Giglio, Luigia Sabbatini,