کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268290 | 972399 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Ambipolar permeable metal-base transistor based on NPB/C60 heterojunction
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
![عکس صفحه اول مقاله: Ambipolar permeable metal-base transistor based on NPB/C60 heterojunction Ambipolar permeable metal-base transistor based on NPB/C60 heterojunction](/preview/png/1268290.png)
چکیده انگلیسی
In this paper, we report the fabrication of permeable metal-base organic transistors based on N,N′-diphenyl-N,N′-bis(1-naphthylphenyl)-1,1′-biphenyl-4,4′-diamine (NPB)/C60 heterojunction as both emitter and collector. By applying different polarities of voltage bias to the collector and the base, and input current to the emitter, the ambipolar behavior can be observed. The device demonstrates excellent common-base characteristics both in P-type and N-type modes with common-base current gains of 0.998 and 0.999, respectively.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 1, February 2009, Pages 210–213
Journal: Organic Electronics - Volume 10, Issue 1, February 2009, Pages 210–213
نویسندگان
Jinying Huang, Mingdong Yi, Ivo A. Hümmelgen, Dongge Ma,