کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268409 | 972404 | 2008 | 7 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Electric field and temperature dependence of the hole mobility in a bis-fluorene cored dendrimer
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Time-of-flight mobility measurements on a first generation, bis(fluorene)-cored dendrimer are reported. A charge generation layer was used enabling measurements to be performed on spin-coated films, comparable to those used in devices such as organic light-emitting diodes. The results are compared with spin-coated polyfluorene films. The temperature and electric field dependence of the mobility of the dendrimer was studied and found to be in excellent agreement with the Gaussian disorder model, with an energetic disorder parameter, σ, of 74 meV and a positional disorder parameter, Σ, of 2.6.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 2, April 2008, Pages 220–226
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 2, April 2008, Pages 220–226
نویسندگان
S. Gambino, I.D.W. Samuel, H. Barcena, P.L. Burn,