کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268549 | 972409 | 2008 | 10 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Switching in polymeric resistance random-access memories (RRAMS)
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
Resistive switching in aluminum-polymer-based diodes has been investigated using small signal impedance measurements. It is shown that switching is a two-step process. In the first step, the device remains highly resistive but the low frequency capacitance increases by orders of magnitude. In the second step, resistive switching takes place. A tentative model is presented that can account for the observed behavior. The impedance analysis shows that the device does not behave homogenously over the entire electrode area and only a fraction of the device area gives rise to switching.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 1, February 2008, Pages 119–128
Journal: Organic Electronics - Volume 9, Issue 1, February 2008, Pages 119–128
نویسندگان
H.L. Gomes, A.R.V. Benvenho, D.M. de Leeuw, M. Cölle, P. Stallinga, F. Verbakel, D.M. Taylor,