کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1268634 | 972415 | 2007 | 11 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Conductance switching, hysteresis, and magnetoresistance in organic semiconductors
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
شیمی (عمومی)
پیش نمایش صفحه اول مقاله

چکیده انگلیسی
The controllability of charge transport through an organic molecular spin-valve system is theoretically investigated on the basis of a Su–Schrieffer–Heeger model combined with the non-equilibrium Green’s function formalism. We show how the formation of polaron in the organic sub-structure leads to a hysteretic conductance switching, via sweeping either the bias voltage or the electrochemical potential. We further obtain an exponential dependence of the magnetoresistance as a function of the applied bias voltage. The implications of calculated results in relation to experiments and device applications are addressed and commented.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 5, October 2007, Pages 487–497
Journal: Organic Electronics - Volume 8, Issue 5, October 2007, Pages 487–497
نویسندگان
J.H. Wei, S.J. Xie, L.M. Mei, J. Berakdar, YiJing Yan,