کد مقاله | کد نشریه | سال انتشار | مقاله انگلیسی | نسخه تمام متن |
---|---|---|---|---|
1296976 | 1498364 | 2009 | 4 صفحه PDF | دانلود رایگان |
عنوان انگلیسی مقاله ISI
Dielectric relaxation of CsHSeO4 above room temperature
دانلود مقاله + سفارش ترجمه
دانلود مقاله ISI انگلیسی
رایگان برای ایرانیان
کلمات کلیدی
موضوعات مرتبط
مهندسی و علوم پایه
شیمی
الکتروشیمی
پیش نمایش صفحه اول مقاله
چکیده انگلیسی
Dielectric measurements of CsHSeO4 show a distinct relaxation at low frequencies at several isotherms (T < 363 K). For example, the relaxation frequency is around 4 kHz at 323 K and increases to higher frequencies (~ 100 kHz) as the temperature increases. The relaxation has an activation energy of 0.8 eV, which is in close agreement with that associated with transport of charge carriers. We suggest that the observed dielectric relaxation could be produced by the H+ jump and SeO4â 2 reorientation that cause distortion and change the local lattice polarizability, inducing dipoles like HSeO4â.
ناشر
Database: Elsevier - ScienceDirect (ساینس دایرکت)
Journal: Solid State Ionics - Volume 180, Issues 9â10, 29 May 2009, Pages 673-676
Journal: Solid State Ionics - Volume 180, Issues 9â10, 29 May 2009, Pages 673-676
نویسندگان
O. Checa, J.E. Diosa, R.A. Vargas, J. Santamaria,